Вот простой тестер, который в сочетании с генератором ШИМ может использоваться для измерения напряжения пробоя стабилитронов или биполярных транзисторов. Устройство по конструкции очень простое, но польза его в проектировании и сборке различной электроники повышенной надёжности будет просто незаменимая. Особенно если купили детали от сомнительного китайского производителя и не уверены в заявленных параметрах. А прибор должен работать надёжно.
Схема принципиальная тестера пробоя
Как видите, схема состоит из простого обратноходового преобразователя генерирующего высокое напряжение и источника постоянного тока, чтобы ограничить ток протекающий через проверяемый элемент.
Используемый трансформатор изготовлен из сердечника от энергосберегающей лампы. Он был немного изменен — преобразователи в энергосберегающих лампах работают на частоте около 25000 Гц, поэтому необходимо настроить преобразователь для работы на аналогичных частотах, чтобы уменьшить возможные потери. Чтобы получить нормальную работу инвертора, должна быть намотана отдельная первичная обмотка — несколько десятков витков. Точное число витков зависит от желаемого выходного напряжения — в данном примере использовался трансформатор с соотношением 1:25, получив на выходе напряжение 150 В.
В качестве ограничителя тока можно использовать резистор, однако ток, протекающий через проверяемый элемент, зависит главным образом от его напряжения пробоя — поэтому для получения постоянного значения тока использовался источник тока построенный из двух высоковольтных биполярных транзисторов. Выходной ток определяется напряжением базы Vbe (обычно около 0,7 В) и значением резистора между базой и эмиттером. Для данных значений ток источника составляет около 1 мА.
Поскольку значение усиления транзистора BULT118 довольно низкое, эффективность источника тока также не является высокой, но все же лучше, чем в случае решения с резисторами. Для дальнейшего повышения эффективности источника можете использовать транзистор Дарлингтона вместо этих.
Сигнал 5 В ШИМ используется для управления схемой (пример управляющей программы). Напряжение инвертора может быть точно определено путем изменения частоты и скважности импульсов. Сигнал ШИМ также может быть сгенерирован любым способом, например, с использованием микросхемы NE555. Для удобства контроля можете установить измерительные разъемы между верхним коллектором транзистора и источником питания. Так будем уверены, что ток выходит стабильным на уровне около 1 мА.
