Диаграмма направленности — срез по азимуту скана
1. Физика формирования поля и принцип сканирования лучом в ФАР
Традиционные антенны направленного действия создают сфокусированное радиоизлучение за счет геометрической формы отражателя или пространственной конфигурации элементов. Для смена направления луча в такой системе требуется физический поворот всей конструкции с помощью опорно-поворотных устройств. Фазированная антенная решетка, сокращенно ФАР, формирует и перемещает радиолуч без использования механических узлов. Управление пространственным положением диаграммы направленности выполняется путем изменения фазовых сдвигов высокочастотного сигнала, подаваемого на элементы решетки.
📊 Антенная решетка представляет собой совокупность 2 или более излучающих элементов, расположенных в пространстве по определенному геометрическому закону. Излучателем может служить полуволновый диполь, патч-антенна, открытый конец волновода или щелевая структура. При подаче на все элементы высокочастотного сигнала с идентичной фазой электромагнитные волны складываются в пространстве. В результате интерференции образуется единый плоский фронт волны. Направление максимального излучения при синфазном питании всегда перпендикулярно плоскости раскрыва решетки.
Для поворота луча на заданный угол θ0 относительно нормали к решетке требуется создать линейный фазовый набег вдоль всей структуры. Каждый последующий элемент должен получать сигнал с задержкой по фазе относительно предыдущего. Величина задержки фазы компенсирует разность хода волн в свободном пространстве. В результате конструктивная интерференция волн происходит под углом θ0, а в остальных направлениях электромагнитные колебания взаимно гасятся.
2. Геометрия антенных решеток и выбор шага между излучателями
Геометрическое расположение излучающих элементов определяет форму диаграммы направленности и возможности пространственного сканирования. Выделяют 3 основных типа геометрии решеток:
- Линейная решетка — элементы размещены вдоль 1 прямой линии. Сканирование осуществляется в 1 плоскости.
- Плоская решетка — элементы расположены на плоскости в виде прямоугольной, квадратной или гексагональной сетки. Позволяет управляемо отклонять радиолуч в 2 взаимно перпендикулярных плоскостях по азимуту и углу места.
- Объемная или конформная решетка — излучатели размещаются на криволинейной поверхности, повторяющей контуры корпуса летательного аппарата, корабля или автомобиля.
📏 Ключевым параметром при проектировании ФАР является расстояние d между центрами соседних излучателей. Этот шаг измеряется в долях длины волны λ. Если расстояние d выбрано слишком большим, в пространстве возникают побочные главные максимумы излучения, называемые дифракционными лепестками. Появление таких лепестков приводит к неконтролируемой потере мощности и снижению помехозащищенности системы.
Строгое математическое условие для полного исключения дифракционных максимумов при сканировании в секторе от -θmax до +θmax выражается неравенством:
d / λ ≤ 1 / 1 + sin θmax
Для наглядности приведем конкретные значения шага d при различных максимальных углах сканирования:
- При работе только в зенит без сканирования, когда θmax = 0 градусов, максимальный шаг d равен 1 * λ.
- При сканировании в секторе ±30 градусов шаг d не должен превышать 0.667 * λ.
- При сканировании в секторе ±45 градусов шаг d должен быть не более 0.586 * λ.
- При максимальном секторе сканирования ±90 градусов шаг d ограничивается величиной 0.5 * λ.
На практике стандартным выбором для большинства ФАР с широкоугольным сканированием является шаг d = 0.5 * λ. Такое расстояние гарантирует полное отсутствие дифракционных максимумов во всем рабочем секторе углов.
3. Множитель решетки и диаграмма направленности
Расчет диаграммы направленности ФАР базируется на теореме перемножения диаграмм. Итоговая напряженность поля Etotal в любой точке дальнего поля равна произведению диаграммы направленности одиночного элемента Eelem и множителя решетки AF:
Etotal = Eelem * AF
Множитель решетки AF для эквидистантной линейной структуры из N элементов с равными амплитудами питающих токов вычисляется по формуле:
AF = sin N * ψ * 0.5 / sin ψ * 0.5
В этой формуле обобщенная пространственная фаза ψ объединяет геометрию решетки, длину волны и фазовый набег между соседними элементами:
ψ = 2 * π * d / λ * sin θ + Δφ
Здесь θ — угол наблюдения относительно нормали к решетке, Δφ — сдвиг фазы между двумя соседними излучателями. Чтобы направить главный лепесток излучения под углом θ0, необходимо свести обобщенную фазу ψ к 0. Из этого условия выводится фундаментальная формула расчета требуемого фазового сдвига Δφ:
Δφ = -2 * π * d / λ * sin θ0
Если угол задан в градусах, а фазовый сдвиг рассчитывается в градусах, то формула принимает вид:
Δφ = -360 * d / λ * sin θ0
Фаза n-го элемента решетки φn относительно 1-го элемента, принимаемого за базовый с нулевой фазой, определяется умножением порядкового номера на шаг фазового сдвига:
φn = n — 1 * Δφ
Коэффициент усиления идеальной решетки из N элементов с учетом коэффициента усиления одиночного излучателя Gelem рассчитывается по формуле:
Gtotal = Gelem + 10 * log10 N
Ширина главного лепестка по уровню -3 дБ для линейной синфазной решетки приближенно оценивается выражением в радианах:
Θ3dB = 0.886 * λ / N * d
Для перевода ширины луча из радиан в градусы полученное значение умножается на коэффициент 57.3.
4. Амплитудное распределение и управление уровнем боковых лепестков
При одинаковой амплитуде питающего тока на всех элементах решетки уровень 1-го и самого крупного бокового лепестка составляет -13.2 дБ относительно максимума главного излучения. В ряде радиолокационных и связных систем такой высокий уровень боковых лепестков недопустим, так как он создает восприимчивость к помехам и снижает скрытность работы.
📉 Для подавления боковых лепестков применяют спадающее амплитудное распределение — амплитуду тока на краях решетки делают меньше, чем в центре. Это достигается установкой аттенюаторов или настройкой коэффициентов деления в распределительной сети.
В практике проектирования антенн наибольшее распространение получили 4 классических типа амплитудных распределений:
- Равномерное распределение — обеспечивает максимальный коэффициент использования поверхности и минимальную ширину главного луча, но дает максимальный уровень боковых лепестков -13.2 дБ.
- Распределение Дольфа-Чебышева — позволяет зафиксировать строго заданный уровень боковых лепестков, например -30 дБ или -40 дБ, обеспечивая при этом минимально возможную ширину главного луча для данного уровня.
- Распределение Тейлора — оптимизировано для плоских и линейных решеток с плавным спаданием дальних боковых лепестков, что снижает чувствительность к допускам изготовления.
- Распределение Хэмминга или спадающее до уровня 0.08 на краях — снижает уровень 1-го бокового лепестка до -42.8 дБ при расширении главного луча в 1.35 раза.
Снижение уровня боковых лепестков всегда сопровождается 2 физическими эффектами: расширением главного луча и некоторой потерей коэффициента усиления решетки за счет уменьшения коэффициента использования поверхности.
5. Пошаговый практический пример расчета линейной ФАР на 2.4 ГГц
📝 Разберем подробный пример расчета параметров 8-элементной линейной решетки для системы беспроводной связи на частоте 2.4 ГГц. Необходимый сектор сканирования составляет ±30 градусов от нормали.
Шаг 1. Расчет длины волны в свободном пространстве. Скорость света c составляет 300000000 м/с. Рабочая частота f = 2400 МГц.
λ = 300 / 2400 = 0.125 м = 125 мм
Шаг 2. Выбор расстояния d между элементами. Для отсутствия побочных максимумов при сканировании до 30 градусов применим правило d / λ ≤ 1 / 1 + sin 30. Поскольку sin 30 равен 0.5, получаем d / λ ≤ 1 / 1.5 = 0.667. Для запаса надежности выберем стандартный шаг d = 0.5 * λ.
d = 0.5 * 125 = 62.5 мм
Шаг 3. Расчет геометрической длины раскрыва решетки L при N = 8 элементов.
L = 8 — 1 * 62.5 = 7 * 62.5 = 437.5 мм
Шаг 4. Расчет коэффициента усиления решетки. Если в качестве одиночного элемента используется патч-антенна с коэффициентом усиления Gelem = 6 дБи, то усиление решетки составит:
Gtotal = 6 + 10 * log10 8 = 6 + 9.03 = 15.03 дБи
Принимаем округленное практическое значение 15 дБи.
Шаг 5. Расчет ширины главного луча в синфазном режиме при θ = 0 градусов.
Θ3dB = 0.886 * 125 / 8 * 62.5 = 110.75 / 500 = 0.2215 рад
Переводим в градусы: 0.2215 * 57.3 = 12.7 градусов.
Шаг 6. Расчет требуемого фазового сдвига Δφ для поворота луча на угол θ0 = 30 градусов.
Δφ = -360 * 0.5 * sin 30 = -180 * 0.5 = -90 градусов
Шаг 7. Расчет распределения фаз по элементам решетки:
- Элемент 1: 0 градусов
- Элемент 2: -90 градусов
- Элемент 3: -180 градусов
- Элемент 4: -270 градусов, что эквивалентно +90 градусам
- Элемент 5: -360 градусов, что эквивалентно 0 градусов
- Элемент 6: -450 градусов, что эквивалентно -90 градусам
- Элемент 7: -540 градусов, что эквивалентно -180 градусам
- Элемент 8: -630 градусов, что эквивалентно +90 градусам
Шаг 8. Оценка расширения луча при отклонении на 30 градусов. При отклонении луча от нормали его эффективный раскрыв уменьшается пропорционально cos θ0. Ширина луча под углом 30 градусов составит:
Θscan = 12.7 / cos 30 = 12.7 / 0.866 = 14.7 градусов
6. Справочные таблицы
В данном разделе приведены сводные справочники для быстрого выбора параметров решеток при инженерном проектировании.
Таблица 1. Сравнение основных типов амплитудных распределений
| Тип распределения | Уровень боковых лепестков, дБ | Коэфф. расширения луча | Коэфф. использования поверхности |
|---|---|---|---|
| Равномерное | -13.2 | 1 | 1 |
| Дольфа-Чебышева -20 дБ | -20 | 1.08 | 0.96 |
| Дольфа-Чебышева -30 дБ | -30 | 1.21 | 0.88 |
| Дольфа-Чебышева -40 дБ | -40 | 1.34 | 0.79 |
| Тейлора -30 дБ | -30 | 1.18 | 0.91 |
| Хэмминга | -42.8 | 1.35 | 0.74 |
| Косинус на подставке | -23 | 1.15 | 0.92 |
Таблица 2. Зависимость параметров линейной ФАР от числа элементов N при шаге d = 0.5 * λ
| Число элементов N | Прирост усиления, дБ | Ширина луча в зените, град | Ширина луча при сканировании 45 град |
|---|---|---|---|
| 2 | 3.01 | 50.8 | 71.8 |
| 4 | 6.02 | 25.4 | 35.9 |
| 8 | 9.03 | 12.7 | 18.0 |
| 16 | 12.04 | 6.35 | 8.98 |
| 32 | 15.05 | 3.17 | 4.49 |
| 64 | 18.06 | 1.59 | 2.24 |
| 128 | 21.07 | 0.79 | 1.12 |
Таблица 3. Допустимый шаг излучателей d / λ в зависимости от сектора сканирования
| Сектор сканирования ±θ, град | Макс. допустимый шаг d / λ | Реком. практический шаг d / λ |
|---|---|---|
| 0 | 1.0 | 0.75 |
| 15 | 0.794 | 0.7 |
| 30 | 0.667 | 0.6 |
| 45 | 0.586 | 0.53 |
| 60 | 0.536 | 0.5 |
| 75 | 0.509 | 0.48 |
| 90 | 0.5 | 0.45 |
7. Классификация и архитектуры: ПФАР, АФАР и ЦДО
По способу формирования и обработки радиосигналов фазированные антенные решетки подразделяются на 3 основных класса:
- Пассивные ФАР, обозначаемые ПФАР. В пассивных решетках используется 1 общий высокочастотный генератор и передатчик высокой мощности. Сформированный сигнал делится распределительной сетью на N каналов и поступает на управляемые фазовращатели, установленные перед каждым излучателем. Ключевым недостатком ПФАР являются существенные потери мощности в фазовращателях и делителях, а также низкая надежность — выход из строя общего передатчика приводит к отказу всей системы.
- Активные ФАР, обозначаемые АФАР. В активных решетках каждый излучающий элемент оснащается собственным приемопередающим модулем, сокращенно ППМ. В состав каждого ППМ входят малошумящий усилитель приема, усилитель мощности передачи, дискретный фазовращатель, аттенюатор и переключатель прием-передача. АФАР обладает высокой надежностью, так как выход из строя до 10 процентов ППМ практически не влияет на работоспособность антенны. Потери в распределительной сети в режиме передачи отсутствуют, поскольку усиление сигнала происходит непосредственно перед излучателем.
- Цифровые антенные решетки или системы с цифровым диаграммообразованием, сокращенно ЦДО. В таких архитектурах аналоговые фазовращатели отсутствуют. Сигнал с каждого излучателя после усиления и понижения частоты оцифровывается индивидуальным аналогово-цифровым преобразователем. Управление фазой и амплитудой осуществляется математически в цифровом сигнальном процессоре. ЦДО позволяет одновременно формировать многолучевые диаграммы направленности и с высокой точностью подавлять помехи в цифровом виде.
8. Разрядность фазовращателей и влияние ошибок квантования
В реальных системах управления ФАР применяются цифровые дискретные фазовращатели. Фаза меняется не непрерывно, а дискретными шагами, определяемыми разрядностью фазовращателя B bit. Минимальный дискрет фазы Δφmin вычисляется по формуле:
Δφmin = 360 / 2B
Связь между разрядностью и дискретом фазы выглядит следующим образом:
- 3-битный фазовращатель: шаг фазы равен 45 градусов.
- 4-битный фазовращатель: шаг фазы равен 22.5 градусов.
- 5-битный фазовращатель: шаг фазы равен 11.25 градусов.
- 6-битный фазовращатель: шаг фазы равен 5.625 градусов.
Ошибки квантования фазы приводят к 2 неприятным последствиям: смещению фактического угла луча от заданного значения и повышению фонового уровня боковых лепестков. Средний уровень фона ошибок квантования для N-элементной решетки с B-битным фазовращателем оценивается выражением:
σ2 = π2 / 3 * 22 * B * N
На практике применение 6-битных фазовращателей позволяет снизить влияние ошибок квантования до пренебрежимо малого уровня, сравнимого с технологическими погрешностями монтажа.
9. Эффект взаимной связи излучателей и рассогласование
📊 При плотном расположении излучателей на расстоянии 0.5 * λ между ними возникает сильное взаимное электромагнитное влияние, называемое взаимной связью. Излучение 1-го элемента наводит ток в соседних излучателях, что изменяет их входное сопротивление.
Взаимное влияние приводит к следующим эффектам:
- Изменение коэффициента отражения и согласования элементов при отклонении луча. В некоторых случаях при больших углах сканирования возникает эффект слепоты решетки, когда вся подводимая мощность отражается обратно в генератор.
- Искажение формы диаграммы направленности одиночного элемента в составе решетки по сравнению с его изолированным состоянием.
- Необходимость применения методов взаимной компенсации или использования калибровки с изменением матриц амплитудно-фазовых распределений.
Для предотвращения эффекта слепоты решетки применяют элементы с определенной формой диаграммы направленности, сглаживающей взаимные переотражения, а также вводят пассивные согласующие экраны или канавки в металлических экранах.
10. Рекомендуемая литература
Для глубокого изучения теории и практического проектирования ФАР рекомендуется обратиться к фундаментальным русскоязычным монографиям и учебникам:
- Воскресенский Д. И., Гостюхин В. Л., Филиппов В. М. Антенны и устройства СВЧ. Проектирование фазированных антенных решеток. Издательство Радио и связь, 1994.
- Самойленко В. И., Шишов Ю. А. Управление фазированными антенными решетками. Издательство Радио и связь, 1983.
- Марков Г. Т., Сазонов Д. М. Антенны. Учебник для студентов радиотехнических специальностей вузов. Издательство Энергия, 1975.
- Воскресенский Д. И. Устройства СВЧ и антенны. Учебник для вузов. Издательство Радиотехника, 2006.
- Вендик О. Г. Антенны с немеханическим движением луча. Издательство Советское радио, 1965.
- Шифрин Я. С. Вопросы статистической теории антенн. Издательство Советское радио, 1970.
- Бахрах Л. Д., Кременецкий С. Д. Синтез излучающих систем. Издательство Советское радио, 1974.










